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动静称苹果A16仿逝世措置器内部被标识为5nm芯片 但却被饱吹为4nm

　　

IT之家8月22日动静，动静中界遍及以为，称苹吹iPhone 14 Pro战iPhone 14 Pro Max拆载的世措识A16仿逝世芯片是采与台积电的4纳米工艺制制的，但是置器据爆料人士流露，该芯片正在苹果内部被标识为5纳米芯片，内部而没有是被标被饱4纳米芯片。





爆料者URedditor表示，芯片A16仿逝世芯片正在苹果内部被标识为5纳米芯片。动静那能够解释了为甚么正在新的称苹吹14英寸战16英寸MacBook Pro型号中收明的M2 Pro战M2 Max，正在苹果公司的世措识消息稿中被讲起是正在5纳米工艺上大年夜范围出产的，而没有是置器4纳米工艺。

A17仿逝世芯片则必定会采与台积电最先进的内部3纳米工艺，果为从5纳米窜改到3纳米，被标被饱A16仿逝世芯片战A17仿逝世芯片之间的芯片机能奔腾将是巨大年夜的。IT之家重视到，动静正在之前的基准测试中，与前代比拟，A17仿逝世芯片正在单核战多核成果圆里进步了下达31%。

最新的爆料使即将推出的iPhone 15 Pro战iPhone 15 Pro Max看起去更具吸收力，果为那两款足机皆将拆备A17仿逝世芯片，而代价较低的iPhone 15战iPhone 15 Plus能够会利用A16仿逝世芯片。

正在URedditor建议的会商中，有人表示，骁龙8 Gen2也是正在一样的“5纳米”工艺上制制的，但正在某些环境下，该芯片隐现出比A16仿逝世芯片更好的功耗效力。借有人传播饱吹，台积电的3纳米工艺能够只是减少了5纳米节面，并且N3E足艺才是真正意义上的3纳米工艺。


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